Intel e SoftBank anunciam Z-Angle Memory (ZAM): nova memória com até 2x a largura de banda da HBM4 e potencial para acelerar IAs
Z-Angle Memory chega como alternativa à HBM ao combinar empilhamento vertical denso, ligação híbrida e controlador unificado para reduzir calor e aumentar eficiência
A Intel, em parceria com a subsidiária SAIMEMORY da SoftBank, apresentou detalhes iniciais da Z-Angle Memory (ZAM), um novo padrão de memória de alta largura de banda e alta capacidade voltado a aceleradores de inteligência artificial e GPUs. Segundo as empresas, a ZAM alcança até 5,3 TB/s por pilha — o equivalente a cerca do dobro da largura de banda anunciada para a HBM4 atualmente — e tem previsão de produção em escala entre 2028 e 2030.
Como é a arquitetura da ZAM
O projeto demonstrado utiliza um empilhamento vertical de nove camadas: oito camadas de DRAM intercaladas por substratos de silício com espaçamento de 3 mícrons. No núcleo do pacote há um controlador lógico único que gerencia todas as camadas, eliminando a necessidade de vários controladores distribuídos, prática comum em designs de alta largura de banda.
Três camadas principais de TSV (Through-Silicon-Via) concentram cerca de 13,7 mil caminhos de interconexão, complementados por ligação híbrida entre camadas. Cada camada entrega aproximadamente 1,125 GB, resultando em 10 GB por pilha e 30 GB no pacote completo — a pilha mede 171 mm² (15,4 x 11,1 mm) e atinge uma densidade de 0,25 Tb/s de largura de banda por mm².
Vantagens declaradas frente à HBM
As empresas afirmam que a ZAM aborda limitações estruturais observadas em HBM ao aumentar densidade, largura de banda e eficiência energética. Um ponto-chave é a dissipação térmica: ao evitar que o calor tenha que atravessar camadas de fiação densas, a ZAM reduziria o acúmulo de temperatura que se torna problemático em pilhas HBM muito escaladas.
O design também explora empacotamento 3.5D para integrar camadas verticais e horizontais em um substrato único, acomodando trilhas de alimentação e aterramento, fotônica de silício (SiPh) e conexões de entrada/saída legadas (Legacy IO).
Onde a ZAM se encaixa no mercado e quais são os próximos passos
O anúncio posiciona a ZAM como concorrente direta dos padrões HBM4 e HBM4E no segmento de memórias para cargas de trabalho de IA generativa. A demonstração técnica está prevista para o VLSI Symposium 2026, quando a Intel e a SAIMEMORY devem divulgar mais detalhes da arquitetura e de testes iniciais.
No entanto, a adoção comercial dependerá de fatores além da largura de banda: custo de fabricação, rendimentos de empilhamento e ligação híbrida, compatibilidade com controladores de aceleradores e GPUs, além da maturidade do ecossistema de empacotamento 3.5D. O cronograma de 2028–2030 para produção em escala indica que haverá tempo para validação, mas também competição com evoluções de HBM e outras tecnologias emergentes.
Contexto do mercado
A chegada da ZAM ocorre em um momento de valorização do mercado de memória: fabricantes reportaram receitas fortes no primeiro trimestre de 2026 e projeções de aumento de preços. Se a tecnologia cumprir as promessas de desempenho e eficiência, pode influenciar decisões de design de aceleradores e acelerar a demanda por novas gerações de memória em datacenters e placas gráficas profissionais.
Em resumo, a Z-Angle Memory surge como uma proposta ambiciosa para romper limitações físicas da memória empilhada tradicional. A prova virá nas demonstrações técnicas e nos testes de integração em CPUs, GPUs e ASICs de IA — etapas-chave antes que o mercado veja a ZAM em produção e uso real.
