Samsung teria produzido primeiro módulo DRAM do mundo com menos de 10nm usando processo 10a; produção em massa pode chegar em 2028
Segundo reportagem sul‑coreana, a empresa validou um die funcional abaixo de 10nm e agora busca acelerar a etapa de industrialização
A Samsung teria alcançado um marco na fabricação de memórias ao produzir o primeiro die de DRAM do mundo em um processo com menos de 10nm, segundo reportagem do jornal sul‑coreano The Elec. O feito teria sido registrado durante inspeções realizadas após a fabricação de wafers com a nova tecnologia 10a.
O que foi reportado
De acordo com a publicação, a confirmação do die funcional ocorreu durante os testes de caracterização no dia 24 do mês passado. Não houve anúncio oficial da Samsung sobre o avanço, e a informação chega por fontes do setor citadas pelo veículo.
Fontes estimam que a dimensão efetiva do processo fique entre 9,5nm e 9,7nm. O resultado seria a primeira aplicação comercial viável da combinação da estrutura de célula quadrada 4F com o processo de transistor de canal vertical, também chamado de VCT.
Por que a mudança é relevante
As memórias DRAM ficaram por muito tempo presas à litografia de 10nm, enquanto chips lógicos avançaram para nós muito menores. A principal vantagem técnica da 10a é reorganizar a célula de memória: em vez da configuração retangular 6F tradicional, a Samsung prepara a célula 4F, que cria blocos quadrados de 2F x 2F.
Com os canais verticais, a fabricante espera aproveitar melhor a área do chip, alcançando densidades de célula entre 30% e 50% maiores. Isso pode reduzir o custo por bit e permitir módulos de maior capacidade em formatos existentes.
Cronograma e ambições
Segundo o mesmo relatório, a Samsung planeja completar o desenvolvimento do processo 10a até o final deste ano. A meta da empresa é iniciar a produção em massa de componentes usando a tecnologia até 2028, caso os próximos passos de validação e otimização do die funcional avancem sem maiores obstáculos.
Riscos e obstáculos
O avanço ainda enfrenta incertezas. Primeiro, porque não houve divulgação oficial da Samsung, e a informação depende de fontes da indústria. Além disso, a companhia enfrenta ameaças de greve que podem atrasar cronogramas de desenvolvimento e ramp‑up de produção.
Outro ponto é que a redução numérica de 10nm para algo na faixa de 9,5–9,7nm não é um salto dramático em nomenclatura, mas representa mudanças importantes em arquitetura de célula e empacotamento que exigem validação de rendimento e confiabilidade.
Analistas e concorrentes acompanharão de perto como a Samsung resolverá desafios de rendimento, custos e escalonamento para transformar o protótipo funcional em fornecimento comercial em larga escala.
Por ora, o mercado recebe a notícia como um sinal de que a corrida por densidade em DRAM continua ativa, e que inovações de layout e transistores podem ser tão decisivas quanto avanços puramente litográficos.
